1.韩媒：芯片巨头计划升级在华工厂
据韩媒报道，韩国芯片巨头SK海力士准备打破美国对华极紫外（EUV）光刻机出口相关限制，对其中国半导体工厂进行技术提升改造。这被外界解读为，随着半导体市场的复苏以及中国高性能半导体制造能力提升，一些韩国芯片企业准备采取一切可以使用的方法来提高在华工厂制造工艺水平。韩国《首尔经济》13日的报道援引韩国业内人士的话称，SK海力士计划今年将其中国无锡工厂的部分动态随机存取存储器（DRAM）生产设备提升至第四代10纳米工艺。对于“无锡工厂将技术升级”的消息，SK海力士方面表示“无法确认工厂的具体运营计划”。无锡工厂是SK海力士的核心生产基地，产量约占其DRAM总产量的40%。目前，无锡工厂正在生产两款较旧的10纳米DRAM。报道认为，SK海力士对无锡工厂进行技术升级并不容易，因为美国为阻止中国半导体产业崛起，从2019年开始单方面限制制造尖端半导体必需的EUV光刻机出口中国。报道称，随着全球半导体市场进入复苏，SK海力士认为高性能芯片产能扩张已经刻不容缓，需要10纳米级第四代DRAM或更高版本产品来维持其市场份额。SK海力士总裁郭鲁正出席CES展会时表示：“我们自去年以来就地缘政治问题组建了内部工作组，相信企业风险由此得到很大程度的缓解。”中国半导体产业水平迅速提升引发韩媒高度关注。韩联社12日称，投资银行巴克莱的分析师在一份报告中称，中国半导体制造商比外界所认为的要“多得多”。瑞银集团近期的一份报告称，虽然美国正用各种方式阻止中国半导体崛起，但中国克服这些限制的能力不容小觑。中国企业正在加强对主要半导体制造设备的采购以增加供应。去年包括荷兰阿斯麦集团在内的国际半导体设备生产商来自中国的订单激增。
2.专家：任何国家都不可能垄断芯片产业链 中国半导体不应盲目乐观 华为差距也不小
快科技 1 月 15 日消息，据国内媒体报道称，《科技日报》原总编辑刘亚东接受媒体采访时表示，芯片制造之难，难过造原子弹，对于中国半导体而言，不应盲目乐观。
芯片的产业链很长，大致可以分成芯片的设计、制造以及封装测试这三大块。
在刘亚东看来，华为海思仅仅是做芯片设计，他们也不完全是国产化、本地化的设计，比如说他还要用到英国阿姆公司的 ARM 架构，另外所用的开发平台也是美国的 EDA。总的来讲我们虽然取得一些进展，这也是一个全球合作、国际分工的产物。
在芯片整个产业链中，现在中国做得最好的是中低端的封测环节，但是最高端的封测技术，依然在美国。
从事芯片设计的企业有很多，我们国内做得最好是华为海思。他们现在可以设计 5 纳米制程的芯片，跟国际先进水平相比差距不大，粗略估计也就是三五年的差距。
刘亚东重申，设计领域像华为海思应该说这些年做得不错。但从设计的角度讲，几大块，比如在随机存储器这种芯片领域里，我们的差距是比较大的。
从难度上来讲，造原子弹和造芯片完全不可同日而语。原子弹的技术门槛并不是很高，造原子弹拼的是资源、资金和意志，不是拼技术，跟半导体芯片完全是两回事。
此外，刘亚东也是重申，任何一个国家都不可能建立起一个完全本地化的半导体产业链，自主创新绝不是闭门造车。自主创新是要体现自己的意图和意志，但同时也要积极地参与国际分工与合作，融入全球价值链。
3.韩国总统尹锡悦：韩国将投资622万亿韩元用于创建芯片集群
韩国总统尹锡悦表示，韩国将投资622万亿韩元用于创建芯片集群。
4.AMD获评TechWeb 2023鹤立奖“最具影响力芯片企业奖”
1月15日消息，AMD荣获“TechWeb 2023鹤立奖”最具影响力芯片企业奖。本届“鹤立奖”评选由TechWeb内容部主办，旨在通过用户和行业人士的投票评选出年度最能影响人们生活、最优秀的公司，产品和服务。
5.加码施压，美众院涉华委员会致函三家芯片巨头 要求CEO赴国会作证
美议员在涉华芯片上对美企的施压还在继续。英国《金融时报》12日曝出，美国众议院“美中战略竞争特别委员会”正加大对美国芯片制造商在华利益审查，已要求三家美芯片巨头首席执行官（CEO）赴国会作证。该委员会本周致函英特尔、英伟达和美光公司，要求其CEO前往国会作证。英特尔、英伟达和美光均拒绝就上述传唤消息置评。
6.巴克莱：中国芯片产能将在未来5-7年翻倍 远超市场预期
巴克莱分析师在周四发布的一份最新研报中表示，根据中国本土制造商的现有计划，中国的芯片生产能力将在五到七年内增加一倍以上，“大大超过”市场预期。近年来，中国企业已加快了对重要芯片生产设备的采购，以支持产能提升。包括荷兰ASML和日本东京电子在内的半导体设备生产商，在2023年都收到了大量来自中国的订单。
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